硅传感器中电场的电光成像
仪器与探测器
2021-03-17 v3
摘要
提出了一种通过电光成像测量硅探测器中电场的构想装置。它基于 Franz-Keldysh 效应，该效应描述了光吸收对能量接近硅带隙的光的电场依赖性。利用已发表的数据，估算测量精度为 1 至 4 kV/cm。该装置旨在确定辐射损伤硅探测器中作为辐照通量及粒子类型、温度和偏置电压函数的电场。给出了整体概念及装置的各个组件。
关键词
引用
@article{arxiv.2007.15503,
title = {Electro-optical imaging of electric fields in silicon sensors},
author = {Robert Klanner and Annika Vauth},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.15503},
year = {2021}
}
备注
7 pages, 5 figures