重访 Franz-Keldysh 效应：包含带间耦合与激子效应的电吸收

我们研究了在均匀恒定 (dc) 电场存在下体半导体的线性光吸收，所采用的方法适用于在多能带模型中包含激子效应。吸收系数是通过计算由光脉冲激发的带间极化的时间演化得出的。我们将该形式体系应用于使用 14 带 $\textbf{k} \cdot \textbf{p}$ 模型对 GaAs 进行的数值计算，该模型允许我们properly 包含带间耦合，并通过交换自能来解释由电子 - 空穴相互作用引起的激子效应。库仑相互作用增强了 $\textbf{k} \cdot \textbf{p}$ 模型所捕捉到的吸收系数特征。我们考虑了这种增强对 dc 电场强度和光场偏振的依赖性。