体相 GaAs 中的各向异性激子及其对位移电流瞬变的贡献
介观与纳米尺度物理
2017-11-08 v1
摘要
通过在由 14 能带 k.p 模型得到的能带结构基组下数值求解半导体 Bloch 方程，获得了体相 GaAs 近带隙激发下的位移电流瞬变。该方法以带间、带子间与带内激发的形式，为光致激发提供了清晰的描述，从而能够区分位移电流瞬变的不同贡献，并完全包含共振与非共振过程。在数值求解中使用倒易空间的测地网格，能够将电子-空穴库仑吸引与各向异性三维能带结构相结合。获得了激子吸收峰与连续谱吸收的增强，并证明激子波函数包含显著的各向异性。激子共振处的光激发产生显著强度的位移电流瞬变，但由于电子-空穴吸引，其位移距离小于带隙以上激发的情况。从而证明该方法能够提供原子尺度上超快电子动力学的重要信息。
引用
@article{arxiv.1708.08256,
title = {Anisotropic Excitons and their Contributions to Shift Current Transients in Bulk GaAs},
author = {Reinold Podzimski and Huynh Thanh Duc and Torsten Meier},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.08256},
year = {2017}
}