弱 n 型掺杂半导体量子阱的吸收光谱
强关联电子
2009-11-07 v1
摘要
我们计算了弱 n 型掺杂的理想半导体量子阱的光学吸收，将其作为温度和导带电子密度的函数。特别地，我们关注由带电激子形成导致的吸收带。我们将带电激子概念化为一种巡游激发，它与巡游导带电子对光生价带空穴出现的动力学响应密切相关。我们给出了激子谱线附近吸收的数值结果，并详细分析了分别与带电激子带和激子谱线相关的谱权重。我们发现，与实验数据定性一致，带电激子的谱权重随导带电子密度的增加和/或温度的降低而增长，这是以激子的谱权重为代价的。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0110582,
title = {Absorption spectrum of a weakly n-doped semiconductor quantum well},
author = {F. X. Bronold},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0110582},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 figures