半导体量子阱中激子的量子关联双光子跃迁
介观与纳米尺度物理
2015-05-30 v2 量子物理
摘要
研究了半导体量子阱激子双光子吸收对激发双光子量子关联（纠缠）的依赖性。我们表明，纠缠光子吸收可以表现出非常不寻常的特征，这取决于时空 - 偏振双光子参数以及束缚激子态和非束缚电子 - 空穴对的吸收体态密度。我们报告了由 Schmidt 数量化的双光子纠缠与半导体量子阱吸收之间的联系。讨论了频率反关联、非纠缠和频率关联双光子吸收之间的比较。我们发现，当光子以纠缠态几乎同时到达时，激子振子强度会大幅增加。当使用窄半导体量子阱作为双光子吸收体时，双光子吸收成为光子量子关联的高度敏感探针。
引用
@article{arxiv.1109.6895,
title = {Quantum-correlated two-photon transitions to excitons in semiconductor quantum wells},
author = {L. J. Salazar and D. A. Guzmán and F. J. Rodríguez and L. Quiroga},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.6895},
year = {2015}
}
备注
Extended Introduction and results discussion. Results unchanged.2 new figures. Added references.Published version