金刚石中的 3d 过渡金属杂质：电子性质与化学趋势
材料科学
2013-07-15 v1
摘要
利用第一性原理计算研究了金刚石中孤立 3d 过渡金属杂质（从 Sc 到 Cu）的性质趋势。这些杂质在替代位或双半空位位具有较小的形成能，而在间隙位则具有较大的形成能。从 Sc 到 Cu，在所有三种位点中，与 3d 相关的能级在带隙中从带隙顶部向价带移动。对于替代位或间隙位的杂质，其电子性质和跃迁能的趋势可以通过一个简单的微观模型很好地描述，该模型考虑了与 3d 相关能级的电子占据情况。另一方面，对于双半空位位的杂质，双空位轨道与 3d 相关轨道之间存在弱相互作用，导致材料带隙中出现与空位和 3d 相关的能级。
引用
@article{arxiv.1307.3278,
title = {3d transition metal impurities in diamond: electronic properties and chemical trends},
author = {L. V. C. Assali and W. V. M. Machado and J. F. Justo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.3278},
year = {2013}
}
备注
19 pages, 6 figures