替代杂质对金刚石中载流子动力学定量相关性的研究
材料科学
2018-09-12 v1
摘要
我们定量测量了人造金刚石晶体中低至亚 ppb（十亿分之一）水平的替代杂质浓度。比较了具有不同杂质浓度的多个样品中通过光激发注入的电子和激子的俘获寿命。基于评估的杂质浓度，我们确定了电子对硼杂质的俘获截面 sA=1.3x10^-14 cm2，以及激子对氮杂质的俘获截面 sD^ex=3.1x10^-14 cm2。通过引入杂质和激子对载流子的散射，成功再现了不同载流子类型迁移率值的总体趋势。
引用
@article{arxiv.1805.10117,
title = {Quantitative relevance of substitutional impurities to carrier dynamics in diamond},
author = {Takaaki Shimomura and Yoshiki Kubo and Julien Barjon and Norio Tokuda and Ikuko Akimoto and Nobuko Naka},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.10117},
year = {2018}
}