掺杂碳纳米管导电性的电子干涉效应
介观与纳米尺度物理
2016-09-28 v1 材料科学
摘要
我们研究了杂质散射对金属碳纳米管导电性的影响，以及随着杂质相对间隔的变化。首先我们计算了洁净(6,6)管的导电性，并研究了模型金属接触对该导电性的影响。随后，我们计算了引入单个、两个和三个氧原子杂质后的导电性。我们发现，单个氧掺杂的(6,6)纳米管的导电性相对于完美纳米管降低约30%。第二个掺杂原子引起导电性的强烈变化，但这种变化对两个氧原子的位置极其敏感。我们观察到导电性的周期性振荡，这些振荡在氧-氧距离对应于整数个半费米波长()时重复出现。这些波动反映了由氧缺陷散射产生的强电子干涉现象，其对管阻力的贡献不能仅通过简单相加其单个贡献来获得。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0009335,
title = {Electron Interference Effects on the Conductance of Doped Carbon Nanotubes},
author = {Alain Rochefort and Phaedon Avouris},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0009335},
year = {2016}
}
备注
13 pages, 5 figures (eps and gif), to appear in J.Phys.Chem