掺杂 Si/SiO2 量子点的能量学与载流子输运
介观与纳米尺度物理
2015-12-02 v1
摘要
在本理论工作中，我们考虑了嵌入 SiO2 基质中、直径约为 1.5 nm 的硅量子点，其中位于不同替位位置的硼或磷杂质。形成能计算表明，对于 P 和 B 杂质，最有利的能量掺杂位点分别在 QD 内部以及 Si/SiO2 界面处。此外，电子和空穴输运计算表明，在所有情况下，最低电压阈值均显著降低，且在低电压区总电流相应增加。在较高电压下，我们的研究结果表明，仅 P 掺杂 Si-QDs 的输运显著增加，而 B 掺杂 Si-QDs 的电学响应并未偏离未掺杂情形。这些发现为将掺杂 Si-QDs 应用于广泛领域（如硅基光子学或光伏太阳能电池）提供了支持。
引用
@article{arxiv.1512.00255,
title = {Energetics and carrier transport in doped Si/SiO2 quantum dots},
author = {Nuria Garcia-Castello and Sergio Illera and Joan Daniel Prades and Stefano Ossicini and Albert Cirera and Roberto Guerra},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.00255},
year = {2015}
}