掺杂 H 钝化 Si(100) 上悬空键导线中的自旋输运
材料科学
2015-06-22 v1
摘要
单原子操纵技术的新进展使得在 H 钝化 Si 表面上创建原子结构成为可能，这些结构的功能对于基于原子和分子的技术发展至关重要。我们进行了总能和电子输运计算，以揭示通过从表面去除 H 原子 crafted 的原子导线的性质并理解其特征。掺杂剂的存在彻底改变了导线的性质。我们的计算表明，掺杂剂倾向于靠近悬空键导线，在这种条件下，输运得到增强且具有自旋选择性。这些结果对原子尺度自旋电子学的发展具有重要意义，表明硼（以及在较小程度上的磷）能将导线转化为高质量的自旋过滤器。
引用
@article{arxiv.1409.1074,
title = {Spin transport in dangling-bond wires on doped H-passivated Si(100)},
author = {Mikaël Kepenekian and Roberto Robles and Riccardo Rurali and Nicolás Lorente},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.1074},
year = {2015}
}
备注
11 pages, 4 figures