硅(001)悬垂键线中的孤子效应
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
硅(001)上的悬垂键线是典型的一维线，预期会表现出极化子和孤子效应。我们采用紧束缚模型进行电子结构计算， 研究了线中的孤子， 证明这些缺陷在偶数长度线中是稳定的，尽管能量约高出0.1 eV。我们还指出， 与共轭聚合物系统不同， 线中存在两种类型的孤子， 且孤子类型对带隙边的能量学意义显著，形成位于0.1至0.2 eV范围内的带隙内态。这些内态局部化于构成孤子的原子上。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0301594,
title = {Soliton effects in dangling-bond wires on Si(001)},
author = {C. F. Bird and A. J. Fisher and D. R. Bowler},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0301594},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 3 figures, 3 tables, submitted to Phys. Rev. B