电子和空穴掺杂对C、Si和S纳米线结构的影响
材料科学
2009-11-13 v1 软凝聚态物质
摘要
我们使用从头算密度泛函计算来研究电子和空穴掺杂对C、Si和S单原子线平衡几何结构和电子结构的影响。无论掺杂如何，所有这些纳米线都被发现是金属性的。在无掺杂情况下，C线是直的，而Si和S线呈现锯齿形结构。除了Si线中两个优选的键角60度和120度外，我们在S线中还发现了一个额外的亚稳态键角90度。研究表明，这些纳米线的平衡几何结构和电子结构在电子和空穴掺杂下发生剧烈变化。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0703071,
title = {Effect of electron and hole doping on the structure of C, Si, and S nanowires},
author = {Shinya Okano and David Tomanek},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0703071},
year = {2009}
}
备注
5 pages including 5 figures