氢钝化Si(100)表面悬挂键硅线的能量学和稳定性
材料科学
2012-11-26 v1
摘要
我们评估了Si(100)-H (2×1)表面上由悬挂键形成的准一维线的电子、几何和能量性质。计算采用密度泛函理论（DFT）。无限长线是绝缘的并具有Peierls畸变，然而有限长线发展出局域电子态，这对基于分子的器件可能非常有用。有限长线的基态解不是几何畸变，而是反铁磁有序。对于线的稳定性，附近硅原子上丰富的氢原子可能是一个问题。我们评估了二聚体内和行内扩散的能垒，发现所有能垒都在1 eV或更大，即使当氢杂质已经位于线上时也是如此。这些结果对于在未来器件中使用悬挂键线是令人鼓舞的。
引用
@article{arxiv.1203.2548,
title = {Energetics and stability of dangling-bond silicon wires on H passivated Si(100)},
author = {Roberto Robles and Mikaël Kepenekian and Serge Monturet and Christian Joachim and Nicolás Lorente},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.2548},
year = {2012}
}
备注
8 pages, 6 figures