硅中氢致小平面（HIPs）的密度泛函理论研究
材料科学
2011-11-29 v1
摘要
在本文中，我们展示了利用密度泛函理论（DFT）计算小平面（platelets）的结果，该小平面由硅 (100) 面内氢原子与空位的无限平面排列来建模。通过观察弛豫后的小平面结构并将其能量与溶解在硅中的氢分子的能量进行比较，我们得以证实若干特征。插入在 Si-Si 键中间的氢原子平面排列被证明是不稳定的，必须断裂 Si 键才能使小平面稳定。在 (100) 面内，最稳定的构型是具有两个 Si-H 键的构型（即所谓的 SiH2 结构）。可以生成比溶解在硅体相中的氢更稳定、但不如 SiH2 结构稳定的 SiH3 结构，但实验中有时观察到的 SiH1 或 SiH4 被证明是不稳定的。
引用
@article{arxiv.1111.6459,
title = {Density-Functional Theory Study of Hydrogen Induced Platelets (HIPs) in Silicon},
author = {Liviu Bîlteanu and Jean-Paul Crocombette},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.6459},
year = {2011}
}
备注
6 pages, 3 figures; MRS Proceedings, 1370, 2011