β-SiC(100) 3×2 表面的金属化：一项 DFT 研究
材料科学
2015-05-30 v1
摘要
利用密度泛函理论（DFT），我们报告了具有不同氢化程度的氢化 β 重构碳化硅（001）（3×2）表面的电子结构和振动动力学结果。这些结果是通过使用广义梯度交换关联泛函的密度泛函理论获得的。计算表明，金属化可以通过占据第二硅层的氢原子来实现。第二硅层位上氢占据的进一步增加会导致这种金属化的丧失。对于发生金属化的前一种情况，我们在 1870 cm⁻¹ 处发现了一个新的振动模式，该模式与第一层氢原子相关的模式截然不同。此外，我们发现氢原子从第二硅层移动到第三硅层的扩散势垒为 258 meV。
引用
@article{arxiv.1108.6035,
title = {Metallization of the {\beta}-SiC(100) 3\times2 Surface: a DFT Investigation},
author = {James Westover and Hamid Oughaddou and Hanna Enriquez and Abdelkader Kara},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.6035},
year = {2015}
}