Scifaro

中文

金属化β-SiC(001)表面中的能带弯曲与准二维电子气

材料科学 2008-09-04 v1

作者: R. Rurali , E. Wachowicz , P. Hyldgaard , P. Ordejón

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

我们研究了氢吸附导致富硅β-SiC(001)表面金属化的机制。我们分析了能带弯曲的影响，并证明了准二维电子气的存在，该电子气源于吸附氢向体导带态贡献电子。我们还提供了一个简单模型，该模型捕捉了第一性原理计算结果的主要特征，并揭示了该过程的基本物理机制。

关键词

β-碳化硅表面金属化氢吸附能带弯曲准二维电子气第一性原理计算

引用

@article{arxiv.0809.0578,
  title  = {Band bending and quasi-2DEG in the metallized $\beta$-SiC(001) surface},
  author = {R. Rurali and E. Wachowicz and P. Hyldgaard and P. Ordejón},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0809.0578},
  year   = {2008}
}

备注

accepted for publication in physica status solidi - Rapid Research Letters