Ni/ $\beta$-SiC (001) 界面能量与键合性：第一性原理研究
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
我们通过高精度的第一性原理全电子 FLAPW 计算方法，研究 Ni 单层吸附在 -SiC(001) 表面上的情况。总能量计算表明，Si- 和 C 终止表面的 Ni-SiC 吸附能高于其他金属，确认了过渡金属/SiC 界面强反应性和稳定性。这些较高的键合能（约为 7.3-7.4 eV）被证明与强 - 混合有关，这种混合常见于两种表面终止形式以及不同吸附位点，尽管存在较大的匹配不良，仍能稳定覆盖层的生长。对键合机制、表面态混合、电荷转移和表面核心能级位移进行了详细分析，揭示了键合的强共价特征。经过适当的 Madelung 项校正后，核心能级位移遵循电荷转移趋势。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0102373,
title = {Energetics and bonding properties of the Ni/$\beta$-SiC (001) interface: an ab-initio study},
author = {G. Profeta and A. Continenza and A. J. Freeman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0102373},
year = {2009}
}
备注
11 pages and 6 figures, Latex-file, submitted to Phys.Rev.B