CdO (100) 表面二维电子气的起源研究
介观与纳米尺度物理
2019-02-27 v1
摘要
本文联合使用同步辐射角分辨光电子能谱与芯能级光电子能谱,研究单晶 CdO (100) 薄膜表面二维电子气的起源。在 ARPES 过程中观察到同步辐射光束下表面态的二维电子密度降低,并伴随表面吸附物种的减少(通过 O 1s 芯能级信号监测)。这表明表面吸附物向表面积累层注入电子。当表面被清洁后,表面导带态清空。我们还研究了经原子 H 掺杂的表面。此处间隙 H 增加了表面的二维电子密度,证明可逆施主掺杂是可能的。由子带色散模拟计算了表面能带弯曲剖面、二维电子密度与有效质量。
引用
@article{arxiv.1809.08057,
title = {On the Origin of the Two-Dimensional Electron Gas at the CdO (100) Surface},
author = {Pip C. J. Clark and Andrew I. Williamson and Nathan K. Lewis and Ruben Ahumada-Lazo and Mathieu Silly and James J. Mudd and Chris F. McConville and Wendy R. Flavell},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.08057},
year = {2019}
}
备注
8 pages, 6 figures