SiO$_2$ 中空阱描述的自互作用校正密度泛函理论
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
我们提出了一种自互作用校正 (SIC) 密度泛函理论 (DFT) 方法，用于描述具有未配对电子或空穴的体系，如固体中的自旋 1/2 缺陷中心或自由基。我们的函数易于实现，其最小化不需额外的计算 effort 相对于常规 DFT 函数。特别是它不像常规 SIC 函数那样存在多极小点。我们通过研究与 Al 替代掺杂相关的石英中的空穴自约束来成功验证了该方法。我们表明，该方法纠正了标准 DFT 函数在该体系中的已知失效。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0407750,
title = {Density functional theory description of hole-trapping in SiO$_2$: a successful self-interaction-corrected approach},
author = {Mayeul d'Avezac and Matteo Calandra and Francesco Mauri},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0407750},
year = {2009}
}
备注
4 pages