硅量子线电子与光学性质的从头算分子动力学研究：取向效应
凝聚态物理
2011-10-25 v1
摘要
我们分析了空间取向对氢化硅量子线光学响应的影响。这些结果对于发光多孔硅光学性质的解释具有重要意义。我们研究了(111)取向的量子线，并将当前结果与先前在同一理论框架内针对(001)取向量子线获得的结果[F. Buda 等人，《物理评论快报》69, 1272 (1992)]进行了比较。与(001)取向的量子线类似，但与晶体体硅不同，我们发现(111)取向的量子线在处表现出直接带隙，由于量子限域效应，其值相对于体硅中的带隙有显著增强。对于沿量子线轴向偏振的外场，介电函数的虚部表现出一些特征，这些特征虽然与(001)量子线观察到的定性相似，但在体材料中并不存在。本研究得出的主要结论是，如果多孔材料中存在几纳米大小的量子线，则无论其具体取向如何，它们都具有光学活性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9511118,
title = {Ab-initio Molecular Dynamics study of electronic and optical properties of silicon quantum wires: Orientational Effects},
author = {A. M. Saitta and F. Buda and G. Fiumara and P. V. Giaquinta},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9511118},
year = {2011}
}
备注
14 pages (plus 6 figures), Revtex