单轴应变对立方态半导体光学自旋取向的影响
介观与纳米尺度物理
2025-02-28 v1 材料科学
摘要
通过计算价带波函数、光学振荡强度以及近共振光激发下来自重价带和轻价带的初始电子自旋极化，我们研究了单轴应变对立方态半导体光学自旋取向的影响。考虑沿[001]、[111]或[-110]晶体方向的应变Orientation，以及圆偏振光激发的平行或垂直于应变的情况。对于所有这些情况，总导电电子自旋极化具有普遍特征，因为i)振荡强度不依赖于应变的大小，仅取决于其符号。ii)尽管振荡强度在配置上有显著依赖，但由sigma +光激发从重价带和轻价带所产生的导电电子自旋极化在所有情况下均等于-0.5，与简单的原子模型所预测的一致。iii)由来自重价带和轻价带的光激发产生的自旋极化不依赖于形变张量和价带形变势，除了[-110]方向的应变。
引用
@article{arxiv.2502.20005,
title = {Effect of a uniaxial strain on optical spin orientation in cubic semiconductors},
author = {T. Amand and D. Paget},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.20005},
year = {2025}
}