硅中应变诱导普克尔斯效应的建模
光学
2016-12-28 v3 材料科学
摘要
我们提出了一个理论模型来描述中心对称晶体中应变诱导的线性电光（普克尔斯）效应。文中给出了通用表述，并因其在集成光学中的诱人特性，详细研究了应变硅这一特例。该分析的结果是二阶极化率张量与应变梯度张量之间的一个线性关系，该关系一般依赖于十五个系数。所提出的模型极大地简化了应变硅波导中电光效应的描述，为光学器件的设计与优化提供了一个强大而有效的工具。
引用
@article{arxiv.1507.06589,
title = {Modeling of strain-induced Pockels effect in Silicon},
author = {Costanza Lucia Manganelli and Paolo Pintus and Claudio Bonati},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.06589},
year = {2016}
}
备注
typos corrected in eq. 29 with respect to the published version