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应变硅跑道谐振器的高频电光测量

光学 2021-01-06 v1

摘要

应变硅波导中电光效应的观测被认为是材料中诱导产生 χ(2)\chi^{(2)} 非线性的直接体现。在本工作中,我们对应变硅跑道谐振器进行了高频测量。应变通过波导的机械形变来控制。结果表明,当施加电压的变化远快于载流子有效寿命时,任何光调制均消失,且与施加的应变无关;同时直流调制也在很大程度上与施加的应变无关。这证明了等离子体载流子色散是观测到的电光效应的原因。在归一化消除自由载流子效应后,我们的结果将施加应力为 0.5GPa-0.5\,GPa 时诱导的高速 χeff,zzz(2)\chi^{(2)}_{eff,zzz} 张量分量的上限设定为 8pm/V8\,pm/V。该上限比此前静态电光测量所报道的值低约一个数量级。

关键词

引用

@article{arxiv.1509.05278,
  title  = {High frequency electro-optic measurement of strained silicon racetrack resonators},
  author = {M. Borghi and M. Mancinelli and F. Merget and J. Witzens and M. Bernard and M. Ghulinyan and G. Pucker and L. Pavesi},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1509.05278},
  year   = {2021}
}