用于电光调制的纳米硅波导中电容诱导的自由载流子效应
光学
2015-08-25 v1
摘要
我们在绝缘体上硅 (SOI) 晶圆上制备了分别包覆二氧化硅、氮化硅或氧化铝的硅波导，并通过测量环形谐振器的电光行为，表征了这些波导中依赖于包覆层和电容诱导的自由载流子效应。通过将测量数据与仿真结果进行比较，我们证实观察到的透射光谱的电压依赖性源于半导体波导内空穴和电子浓度的变化，并首次展示了这些效应在多大程度上依赖于与硅波导接触的包覆层材料。此外，我们发现波导损耗对施加电压具有极高的灵敏度，因此可能广泛应用于需要低损耗或高损耗传输的场合。总体而言，这些现象未来可被整合到更复杂的波导设计中，以制造高效电光调制器。
引用
@article{arxiv.1508.05440,
title = {Capacitively-Induced Free-Carrier Effects in Nanoscale Silicon Waveguides for Electro-Optic Modulation},
author = {Rajat Sharma and Matthew W. Puckett and Hung-Hsi Lin and Andrei Isichenko and Felipe Vallini and Yeshaiahu Fainman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.05440},
year = {2015}
}