利用表面态在带边之外实现硅的光电探测
光学
2009-11-13 v1
摘要
硅是通信波长下集成光学的极具吸引力的材料平台，特别是与 CMOS 电路集成。开发通信波长的探测器和电泵浦激光器是硅成为集成光学综合平台前面临的两大技术障碍。我们报道了在未注入的 SOI 脊形波导中自由载流子的产生，这归因于表面态吸收。通过对波导进行电接触，演示了一种响应度为 36 mA/W、量子效率为 2.8% 的光电探测器。光电导效应在高达 60 MHz 的速度下显示出极小的衰减。
引用
@article{arxiv.0712.0502,
title = {Photodetection in silicon beyond the band edge with surface states},
author = {T. Baehr-Jones and M. Hochberg and A. Scherer},
journal= {arXiv preprint arXiv:0712.0502},
year = {2009}
}