SiN-SOI 平台上用于短距数通的高速波导集成硅光电探测器
应用物理
2019-07-16 v1 光学
摘要
我们展示了在 SOI 平台上与氮化硅（SiN）波导集成、用于 850 nm 波段短距数据通信的波导集成高速硅光电探测器。我们演示了波导耦合 Si pin 光电探测器在 25 V 偏压下的响应度为 0.44 A/W。该光电探测器的频率响应通过飞秒激光源经集成探测器的 SiN 光栅耦合器耦合进行评估。我们估算在 20 V 偏压下 3dB 带宽为 14 GHz，为已报道波导集成硅光电探测器的最高带宽。我们还给出了所制备器件的详细光电直流与交流表征。所演示的集成光电探测器可为短距数据通信与连接的扩展提供集成方案。
引用
@article{arxiv.1907.06580,
title = {High-speed waveguide integrated silicon photodetector on a SiN-SOI platform for short reach datacom},
author = {Avijit Chatterjee and Saumitra and Sujit Kumar Sikdar and Shankar Kumar Selvaraja},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.06580},
year = {2019}
}