应变与未应变硅冷电子辐射热计的光学响应

我们描述了两个硅冷电子辐射热计的光学表征，每个都由一小块（$32 \times 14~\mathrm{\mu m}$）简并掺杂硅岛与超导铝接触组成。辐射通过设计用于耦合 160-GHz 辐射穿过硅透镜的双缝天线耦合到硅吸收体中。第一个器件具有高度掺杂的硅吸收体，第二个具有高度掺杂的应变硅吸收体。利用一种交叉相关两个并行放大器输出的新方法，我们在观测来自 77-K 源辐射时，分别测得控制和应变器件的噪声等效功率为 $3.0 \times 10^{-16}$ 和 $6.6 \times 10^{-17}~\mathrm{W\,Hz^{-1/2}}$。对于应变器件，噪声等效功率受光子噪声限制。