硅纳米线中应变对自发辐射的可逆调制
介观与纳米尺度物理
2017-07-25 v1
摘要
我们通过计算研究了单轴应变在调制硅纳米线中光子自发辐射方面的效应。我们的主要发现是，自发辐射时间发生一到两个数量级的变化，源于两种不同的机制：(A) 波函数对称性的改变，在直接带隙区域内，应变改变了波函数的对称性，进而导致光学偶极矩阵元的大幅变化。(B) 直接带隙到间接带隙的转变，这使得自发光子发射成为一个由声子介导的缓慢二阶过程。这一特征独特地出现在硅纳米线中，而在体硅中，在任何合理的应变量下光学性质都不会发生变化。这些结果预示着硅纳米线作为光电器件（包括一种激射机制）的新应用。我们的结果可通过现有的对纳米线施加应变的实验技术进行验证。
引用
@article{arxiv.1707.07479,
title = {Reversible Modulation of Spontaneous Emission by Strain in Silicon Nanowires},
author = {Daryoush Shiri and Amit Verma and C. R. Selvakumar and M. P. Anantram},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.07479},
year = {2017}
}