多层 GaSe 中应变诱导单光子发射体的确定性局域化
材料科学
2022-10-31 v1
摘要
纳米尺度应变已成为控制原子级薄过渡金属硫族化物(TMDCs)中单光子发射体(SPEs)的有力工具(1, 2)。然而，单层 TMDCs 中的量子发射体在环境条件下通常不稳定。多层二维(2D) TMDCs 可能是一种解决方案，但其量子效率较低，导致 SPEs 亮度低。在此，我们报道了通过纳米柱阵列在多层 GaSe 中实现应变诱导单光子发射体的确定性空间局域化。应变控制的量子限域效应引入了良好隔离的亚带隙光致发光以及相应的宽带宽边光致发光的抑制。在 3.5 Kelvin 下，从类量子点 GaSe 亚带隙激子发射中观察到清晰的光子反聚束行为。发现应变依赖的限域势与亮度强相关，这表明了一条有前景的调控 SPEs 的路线。对应变工程 GaSe SPEs 的全面研究为开发用于量子光子技术的二维器件奠定了坚实基础。
引用
@article{arxiv.2210.15726,
title = {Deterministic Localization of Strain-induced Single-photon Emitters in Multilayer GaSe},
author = {Weijun Luo and Alexander Puretzky and Benjamin Lawrie and Qishuo Tan and Hongze Gao and Zhuofa Chen and Alexander Sergienko and Anna Swan and Liangbo Liang and Xi Ling},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.15726},
year = {2022}
}
备注
18 pages, 4 figures in the maintext; 21 figures in the supporting information