WSe2 中局域态的应变激活
应用物理
2025-01-30 v2 介观与纳米尺度物理
材料科学
强关联电子
摘要
本文探讨了在柔性聚合物基底上的单层 WSe 中，通过可控原子力显微镜（AFM）压痕产生的单光子发射中心在量子技术中的应用。在此，我们研究了这些发射体对聚合物基底应变状态的响应，该应变状态通过选择压痕力和逐步热退火样本来控制。在压痕区域，我们在 1.62--1.68 eV 和 1.70--1.73 eV 区域观察到尖锐的新光致发光（PL）峰，其特征为亚线性功率依赖和光谱漂移。我们发现，这些峰仅在压痕力超过几 N 时出现，并且通常随施加力的增加而发生红移。相反，在热退火（C）后，WSe 发生应变弛豫，导致这些峰的光谱位置发生蓝移并最终消失。我们对峰位与应变关系的分析使我们能够得出关于这些发射本质的若干结论。具体而言，我们阐明了自由激子与缺陷相关态之间的激子限制和杂化作用，这是一个由应变水平激活的过程。总体而言，我们的方法表明局域发射体的能量可以通过应变工程进行调控。
引用
@article{arxiv.2402.11128,
title = {Strain activation of localized states in WSe2},
author = {Oguzhan Yücel and Denis Yagodkin and Jan N. Kirchhof and Abhijeet Kumar and Adrian Dewambrechies and Sviatoslav Kovalchuk and Yuefeng Yu and Kirill I. Bolotin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.11128},
year = {2025}
}