WSe$_2$中作为单光子发射体的局域化谷间缺陷激子
介观与纳米尺度物理
2019-10-09 v1
摘要
单光子发射体在当前及新兴量子技术中起着关键作用。最近的若干测量已确立单层 WSe 作为一种有前景的可靠单光子源候选材料。然而，其起源与 underlying 微观过程在很大程度上仍不清楚。我们提出了一种多尺度紧束缚模拟，用于研究在非均匀应变下且存在点缺陷时 WSe 的光学谱，该模拟采用 Bethe-Salpeter 方程。应变将激子能级局域地移入带隙中，在那里它们与局域化的带隙内缺陷态重叠。由此产生的杂化使得缺陷态能够被有效填充并随后发生辐射衰变。我们确定谷间缺陷激子态为反聚束单光子发射的可能候选。所提出的这一情形被证明能够解释大量实验观测，包括亮度、辐射跃迁速率、激子能量随外加磁场和电场的变化以及发射光子的偏振随磁场的变化。
引用
@article{arxiv.1904.03217,
title = {Localized inter-valley defect excitons as single-photon emitters in WSe$_2$},
author = {L. Linhart and M. Paur and V. Smejkal and J. Burgdörfer and T. Mueller and F. Libisch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.03217},
year = {2019}
}