单层WSe$_2$中缺陷相关量子发射体的识别
介观与纳米尺度物理
2020-02-11 v1 光学
摘要
单层过渡金属硫族化合物近来引起了极大兴趣，因为嵌入单层的量子点可作为光活性单光子发射体。在此，我们通过低温下的偏振分辨和磁光光谱，对这些量子发射体的复合机制给出了解释。我们观察到单层二硒化钨（WSe）中三种类型的缺陷相关量子发射体，其激子g因子分别为2.02、9.36以及不可观测的塞曼位移。空间局域激子的不同磁响应强烈表明，辐射复合源于缺陷诱导能级、价带与导带之间不同的跃迁。此外，三类发射体不同的g因子和零场分裂强烈表明，嵌入单层的量子点具有多种类型的局域激子约束势，从而在存在各向异性的情况下产生了一系列取值的电子-空穴交换相互作用。我们的工作进一步阐明了缺陷相关量子发射体的复合机制，并为理解原子级薄半导体中缺陷在单光子发射体里的作用铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2002.03526,
title = {Identifying defect-related quantum emitters in monolayer WSe$_2$},
author = {Jianchen Dang and Sibai Sun and Xin Xie and Yang Yu and Kai Peng and Chenjiang Qian and Shiyao Wu and Feilong Song and Jingnan Yang and Shan Xiao and Longlong Yang and Yunuan Wang and M. A. Rafiq and Can Wang and Xiulai Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.03526},
year = {2020}
}
备注
14 pages, 4 Figures