原子层状半导体中的大规模量子发射极阵列
介观与纳米尺度物理
2017-06-28 v1 量子物理
摘要
在层状材料中发现量子发射极（QEs）后，二维（2D）纳米光子学的蓬勃发展领域在量子技术界引起了极大关注。层状材料作为量子电路平台具有诸多优势，例如在混合技术中的集成性、谷自由度以及强自旋轨道耦合。然而，层状材料中的量子发射极存在出现位置不可控的问题，加之其起源尚不确定，这被认为与缺陷和应变梯度有关。在此，我们报告了一种可扩展的方法，利用纳米图案化二氧化硅衬底在二硒化钨（WSe2）和二硫化钨（WS2）中创建单光子发射量子发射极阵列。我们获得了量子发射极数量达数百个的器件，仅受限于薄片尺寸，且量子发射极产率接近于1。这些确定性量子发射极的整体质量优于随机出现的量子发射极，其光谱漂移约为0.1 meV，比先前报道的低一个数量级。我们的技术解决了基于层状材料的量子光子器件所面临的可扩展性挑战。
引用
@article{arxiv.1609.04244,
title = {Large-scale quantum-emitter arrays in atomically thin semiconductors},
author = {Carmen Palacios-Berraquero and Dhiren M. Kara and Alejandro R. -P. Montblanch and Matteo Barbone and Pawel Latawiec and Duhee Yoon and Anna K. Ott and Marko Loncar and Andrea C. Ferrari and Mete Atature},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.04244},
year = {2017}
}