应变工程WSe2/NiPS3异质结中的邻近诱导手性量子光产生
介观与纳米尺度物理
2022-03-03 v1 量子物理
摘要
能够产生具有明确圆偏振的单光子的量子光发射器（QEs）可实现非互易单光子器件和确定性自旋-光子接口，这对实现复杂量子网络至关重要。迄今为止，这种手性量子光的发射是通过施加强外磁场、自旋极化载流子/激子的电/光注入，或与复杂光子/超构结构耦合来实现的。在此，我们报告了在零外磁场下，由单层WSe2-NiPS3异质结中创建的QEs产生的高度手性单光子的自由空间发射。这些QEs在760-800 nm范围内发射，圆偏振度和单光子纯度分别高达0.71和80%，且与泵浦激光偏振无关。QEs是通过将扫描探针显微镜针尖压入一个由单层WSe2和约50 nm厚的反铁磁（AFM）绝缘体NiPS3组成的二维异质结中确定性创建的。温度依赖的磁光致发光研究表明，手性量子光发射源于WSe2单层中的局域激子与NiPS3中AFM缺陷的面外磁化之间的磁邻近相互作用，这两者均由纳米级压痕产生的应变场共同局域化。
引用
@article{arxiv.2203.00797,
title = {Proximity Induced Chiral Quantum Light Generation in Strain-Engineered WSe2/NiPS3 Heterostructures},
author = {Xiangzhi Li and Andrew C. Jones and Junho Choi and Huan Zhao and Vigneshwaran Chandrasekaran and Michael T. Pettes and Andrei Piryatinski and Nikolai Sinitsyn and Scott A. Crooker and Han Htoon},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.00797},
year = {2022}
}
备注
20 pages,4 figures