利用位置控制金属纳米柱实现 WSe2 单层中单量子发射体的辐射增强
介观与纳米尺度物理
2018-10-18 v2 应用物理
量子物理
摘要
等离激元纳米结构提供了一种控制和增强量子发射体辐射特性的有效途径。将这些结构与低维材料中的单缺陷耦合，为研究发射体-等离激元相互作用提供了一个极具前景的材料平台，因为这些发射体并未嵌入周围介电质中。因此，它们可以接近近场等离激元模式至纳米尺度距离，有望实现强光物质相互作用。然而，这种耦合要求发射体与结构的等离激元模式精确对准，这在位置控制结构中尤为困难。我们提出了一种在二维二硒化钨（WSe2）中生成与位置控制等离激元纳米柱耦合的量子发射体的技术。等离激元纳米柱在二维材料中诱导应变，从而在等离激元模式的高场区域附近生成量子发射体。纳米柱模式的电场方向接近平行于二维材料，因此具有正确的取向以与量子发射体耦合。发射体与等离激元模式之间的相互作用导致了自发辐射增强和亮度增加。这种方法可能会为量子通信和光学量子计算的应用提供明亮的位置控制非经典光源。
引用
@article{arxiv.1803.09358,
title = {Radiative enhancement of single quantum emitters in WSe2 monolayers using site-controlled metallic nano-pillars},
author = {Tao Cai and Je-Hyung Kim and Zhili Yang and Subhojit Dutta and Shahriar Aghaeimeibodi and Edo Waks},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.09358},
year = {2018}
}