将二维半导体中单局域缺陷的发射耦合至表面等离激元极化激元
介观与纳米尺度物理
2018-10-18 v1 光学
量子物理
摘要
将类原子发射体耦合至表面等离激元为实现显著的光学非线性提供了一条途径，这对于量子信息处理和量子网络至关重要。大的耦合强度要求发射体在等离激元结构表面附近具有纳米级的定位精度，这极具挑战性。我们展示了二硒化钨（WSe2）单层中单局域缺陷与银纳米线表面等离激元模式的自对准耦合。银纳米线在重叠区域的单层上诱导产生应变梯度，导致形成本质上靠近表面等离激元的局域缺陷发射位点。我们测得从发射体到银纳米线等离激元模式的耦合效率下界为39%。该技术为实现等离激元结构与二维半导体局域缺陷之间的高效耦合提供了一种途径。
引用
@article{arxiv.1706.01532,
title = {Coupling emission from single localized defects in 2D semiconductor to surface plasmon polaritons},
author = {Tao Cai and Subhojit Dutta and Shahriar Aghaeimeibodi and Zhili Yang and Sanghee Nah and John T. Fourkas and Edo Waks},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.01532},
year = {2018}
}