二维碳化硅单层中量子发射体的理论研究
材料科学
2020-10-14 v1
摘要
通过第一性原理计算与群论分析，研究了二维碳化硅单层中若干潜在单光子源的特征。考虑了三种电荷态（负、正与中性）下的若干点缺陷。通过应用性能判据，详细研究了无反位缺陷及与反位缺陷组合的 Stone-Wales 缺陷。形成能计算表明这些缺陷的中性与正电荷态是稳定的。我们计算了不同电荷态中可用跃迁的零声子线能量、黄-里斯（HR）因子与光致发光谱。计算所得的 HR 值及相关的德拜-沃勒因子保证 Stone-Wales 缺陷具有高潜力作为有前景的单光子发射体。
引用
@article{arxiv.2002.06989,
title = {Theoretical study of quantum emitters in two-dimensional silicon carbide monolayer},
author = {Q. Hassanzada and I. Abdolhosseini Sarsari and A. Hashemi and A. Ghojavand and A. Gali and M. Abdi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.06989},
year = {2020}
}
备注
7 pages, 5 figures