基于集成拉曼光谱的硅光子学应力测量
应用物理
2020-12-25 v1
摘要
光子与电子集成电路的复杂三维集成对于推进光子学路线图和应对挑战尤为重要，但其涉及机械应力，常对光学器件行为有害。现有实验由于特征尺寸（数百纳米）和三维堆叠集成的要求，未能仔细分析此类集成光学器件中的应力。我们首次利用集成拉曼光谱（IRS）表征硅波导的应力张量。该实验技术直接对有效应力敏感，涉及光子器件工作波长和偏振态下导模光学性质的变化。实验应力张量与仿真结果吻合良好。
引用
@article{arxiv.2012.13336,
title = {Stress measurements in silicon photonics by integrated Raman spectroscopy},
author = {Guillaume Marcaud and Mathias Berciano and Christian Lafforgue and Carlos Alonso-Ramos and Xavier Le Roux and Thomas Maroutian and Guillaume Agnus and Pascal Aubert and Ludovic Largeau and Eric Cassan and Sylvia Matzen and Delphine Marris-Morini and Philippe Lecoeur and Laurent Vivien},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.13336},
year = {2020}
}