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纳米机械氮化硅谐振器中应力各向异性的偏振分析

介观与纳米尺度物理 2017-05-03 v1 量子物理

摘要

我们实现了一种圆灰场偏振镜,用于对薄(亚微米厚)氮化硅(SiN)薄膜与弦中的应力诱导双折射进行成像。这使得主应力方向和应力各向异性得以定量映射,与有限元建模(FEM)互补且一致。此外,利用具有已知应力各向异性的样品,我们提取了氮化硅光弹(布儒斯特)系数的新值,C(3.4 ± 0.1)× 106 MPa1C \approx (3.4~\pm~0.1)\times~10^{-6}~\mathrm{MPa}^{-1}。我们探索了该方法在分析和质量控制具有声子晶体图案的应力薄膜方面的可能应用。

关键词

引用

@article{arxiv.1702.01732,
  title  = {Polarimetric analysis of stress anisotropy in nanomechanical silicon nitride resonators},
  author = {Thibault Capelle and Yeghishe Tsaturyan and Andreas Barg and Albert Schliesser},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1702.01732},
  year   = {2017}
}