基于键轨道理论的硅应变诱导二阶光学非线性极化率描述
材料科学
2016-05-04 v1 光学
摘要
我们发展了一个理论模型，依赖于成熟的 sp³ 键轨道理论，来描述四面体配位的中心对称共价晶体（如硅）中的应变诱导 。通过这种方法，我们能够用应变梯度的线性组合以及仅两个可理论估计的参数 和 来描述 张量的每个分量。所得公式可应用于实际应变硅器件的应变分布模拟，为优化其光学非线性效应提供了非凡的工具。通过这样做，我们不仅能够证实关于应变硅中 的主要有效论点，还能估算该器件中产生的 的数量级。
引用
@article{arxiv.1511.03041,
title = {Bond orbital description of the strain induced second order optical susceptibility in silicon},
author = {Pedro Damas and Delphine Marris-Morini and Eric Cassan and Laurent Vivien},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.03041},
year = {2016}
}