非线性光学极化率的密度泛函理论：在立方半导体中的应用
mtrl-th
2008-02-03 v1 chem-ph
材料科学
摘要
我们提出一种计算扩展绝缘体含时二次极化率（）的通用方案，通过对TD密度泛函理论中定义的泛函作用量应用“”定理得到。所得表达式包含自洽局域场效应，且为系统线性响应的简单函数。我们利用局域密度近似（LDA）计算了九种III-V和五种II-VI半导体的静态，与实验符合良好。对于GaP，我们还利用TD-LDA计算了二次谐波产生的含时。
引用
@article{arxiv.mtrl-th/9508006,
title = {Density-Functional Theory of the nonlinear optical susceptibility: application to cubic semiconductors},
author = {Andrea Dal Corso and Francesco Mauri and Angel Rubio},
journal= {arXiv preprint arXiv:mtrl-th/9508006},
year = {2008}
}