硅烯化基片干涉与应变对单层 MoSe$_2$ 第二谐波产生的影响
材料科学
2025-01-06 v1
摘要
原子厚度的非线性光学材料——如无中心对称性的 2H 过渡金属硫化物单层化合物——具有可由应变调节强度的二阶非线性介数（）。然而， 是被拉伸应变增强还是减弱，尚存分歧。本文在由两种不同基片制造的受控双向应变下生长高质量单层 MoSe，并结合实验和理论方法研究其线性和非线性光学响应。在与其在 SiN_2_2\chi^{(2)}$的增强：基片干涉和应变是独立的，可用于工程化非中心对称性 2D 材料 SHG 强度的两个独立调控手段。
引用
@article{arxiv.2407.01339,
title = {Substrate interference and strain in the second harmonic generation from MoSe$_2$ monolayers},
author = {S. Puri and S. Patel and J. L. Cabellos and L. E. Rosas-Hernandez and S. Barraza-Lopez and B. Mendoza and H. Nakamura},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.01339},
year = {2025}
}