硅纳米线带隙调控
材料科学
2010-02-03 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
通过密度泛函理论计算，研究了小直径（1纳米）硅纳米线因采用不同表面终止物种而导致的带隙调控。由于量子限域效应，无论表面终止方式如何，小直径纳米线均表现出直接带隙，且带隙随线径减小而增大。这一效应已在先前关于氢化纳米线的实验和理论研究中被观察到。对于固定横截面，用于饱和硅表面的官能团会显著改变带隙，导致相对能量移动高达一个电子伏特。带隙移动可追溯至硅价带与终止基团前线轨道之间杂化的细节，这种杂化与量子限域效应相互竞争。
引用
@article{arxiv.1002.0427,
title = {Silicon nanowire band gap modification},
author = {Michael Nolan and Sean O'Callaghan and Giorgos Fagas and James C. Greer and Thomas Frauenheim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.0427},
year = {2010}
}