硅纳米晶的带隙
凝聚态物理
2009-11-07 v1
摘要
半导体纳米晶的带隙在过去二十年间已被广泛进行理论与实验研究。我们将最新一次“最先进”的理论计算与最新一次“最先进”的实验观测进行比较，分析硅纳米晶的带隙。我们发现两者存在显著不一致，随着尺寸减小，不一致程度更为明显。理论计算似乎高估了带隙。鉴于实验观测针对的是晶体尺寸分布，我们提出了现象学模型以调和理论与实验之间的差异。我们建议，类似的考虑也必须适用于其他性质（如辐射速率、衰变常数、吸收系数等）的理论与实验比较。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0107451,
title = {The Band Gap in Silicon Nanocrystallites},
author = {V. Ranjan and Manish Kapoor and Vijay A. Singh},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0107451},
year = {2009}
}
备注
5 pages, latex, 2 figures. (Submitted Physical Review B)