胶体半导体纳米晶的尺寸依赖性带隙与粒径分布
材料科学
2017-10-19 v2
摘要
在有限深方阱有效质量近似的框架内，我们提出了一个新的胶体半导体纳米晶尺寸依赖性带隙的解析表达式，以定量描述量子限域效应。这使得即使传统有效质量模型预期会失效（通常发生在属于所谓强限域区的极小颗粒情况下），也能将光谱数据（光致发光光谱和吸收边）转换为对胶体体系粒径分布的精确估计。通过将所报告的理论方法应用于湿化学法合成的 CdTe 纳米晶，我们推断了其尺寸分布，并将其与原子力显微镜和透射电子显微镜直接获得的结果进行了比较。该分析可作为表征许多其他体系（如 II-VI 族和 III-V 族半导体材料）纳米晶样品的补充工具。
引用
@article{arxiv.1710.01376,
title = {Size-dependent bandgap and particle size distribution of colloidal semiconductor nanocrystals},
author = {Diego Lourençoni Ferreira and J. C. L. Sousa and R. N. Maronesi and J. Bettini and M. A. Schiavon and Alvaro V. N. C. Teixeira and Andreza G. Silva},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.01376},
year = {2017}
}
备注
9 pages, 5 figures