半导体团簇中的量子限域效应 II
chem-ph
2009-10-28 v1 凝聚态物理
化学物理
摘要
通过能带结构计算，使用精确的局域和非局域经验赝势计算了CdS、CdSe、CdTe、AlP、GaP、GaAs和InP半导体团簇的带隙和光谱位移。当重要时，计算中包含了自旋轨道耦合对能带结构的影响。所有这些半导体的完整赝势参数集和完整的计算细节都被报告。闪锌矿和纤锌矿CdS、纤锌矿CdSe和闪锌矿InP团簇的光谱位移与一系列团簇尺寸的实验结果吻合良好。晶体结构对带隙的影响在大团簇中很小，但在小团簇中变得重要。在缺乏实验数据的情况下，我们的计算为其他团簇的预期光谱位移提供了合理的估计。这些结果表明经验赝势方法提供了对量子限域效应的独特见解，是计算半导体团簇光谱位移的有力工具。
引用
@article{arxiv.chem-ph/9506001,
title = {Quantum Confinement Effects in Semiconductor Clusters II},
author = {Antonietta Tomasulo and Mushti V. Ramakrishna},
journal= {arXiv preprint arXiv:chem-ph/9506001},
year = {2009}
}
备注
J. Chem. Phys. submitted (1995); 48 pages + 9 figures. PostScript version available via anonymous ftp at ftp://ramanujan.chem.nyu.edu/pub/qc3.ps