超薄α-In2Se3光学性质中的强量子限域效应
介观与纳米尺度物理
2016-10-19 v1 材料科学
摘要
研究了原子级薄层α-In2Se3晶体的光学吸收光谱中的量子限域效应，观察到剥离α-In2Se3薄片的光学带隙随厚度发生巨大偏移。本文报道的带隙变化是半导体晶体中所发现的最大变化之一，并覆盖了其他二维半导体未涉及的中近紫外光谱区域。
引用
@article{arxiv.1610.05505,
title = {Strong quantum confinement effect in the optical properties of ultrathin {\alpha}-In2Se3},
author = {Jorge Quereda and Robert Biele and Gabino Rubio-Bollinger and Nicolás Agraït and Roberto D'Agosta and Andres Castellanos-Gomez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.05505},
year = {2016}
}
备注
3 Figures + 6 Supp. Info. figures