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具有空间有序自组装量子点阵列的Si/Ge异质结构中的量子限域效应

介观与纳米尺度物理 2010-06-08 v2

作者: Oleksiy B. Agafonov , Christian Dais , Detlev Grützmacher , Rolf J. Haug

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摘要

采用磁隧穿谱技术探测了具有规则分布Ge量子点的垂直Si/Ge双势垒共振隧穿二极管中的限域效应。其电流-电压特性在零偏压附近呈现阶梯状行为，表明重空穴通过Ge量子点中三维限域的空穴未占据态发生共振隧穿。假设为抛物线型限域，我们提取了量子点限域势的强度。

关键词

量子限域 Si/Ge异质结构量子点磁隧穿谱共振隧穿

引用

@article{arxiv.1006.0933,
  title  = {Quantum confinement effects in Si/Ge heterostructures with spatially ordered arrays of self-assembled quantum dots},
  author = {Oleksiy B. Agafonov and Christian Dais and Detlev Grützmacher and Rolf J. Haug},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1006.0933},
  year   = {2010}
}

备注

4 pages, 3 figures