空穴点接触的电子与自旋性质
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们从理论上研究了可调横向限制对III-V半导体异质结构中二维空穴系统的影响。基于价带的4x4 Luttinger描述,我们计算了准一维(quasi-1D)空穴子带能量和各向异性的Lande g因子。限制诱导的能带混合使得准一维空穴态的电子和自旋性质能够在比受限导带电子通常可能达到的更宽范围内进行调控。我们的结果与最近的实验相关,这些实验使用源漏偏压光谱法测量p型量子点接触中空穴的塞曼分裂。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0608045,
title = {Electronic and spin properties of hole point contacts},
author = {U. Zuelicke},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0608045},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 3 figures, LaTex Wiley-VCH style (class files included), accepted for publication in proceedings of PASPS-IV