硬壁量子点输运性质
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
通过原子力显微镜实现的局部氧化技术制造了 Ga[Al]As异质结构中的量子点。该技术结合栅极电压，可在约束边缘生成陡峭的边界和较小的横向耗尽长度。通过低温磁阻测量对约束进行表征，从而重建了量子点的能谱。我们发现，在小尺寸量子点中，添加谱可在定性上用 Fock-Darwin 模型描述。但进行定量分析时，必须考虑硬壁约束。在大尺寸量子点中，能级谱甚至在定性上也偏离 Fock-Darwin 模型。实现的最大壁陡度约为 0.4 meV/nm。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0009344,
title = {Transport properties of quantum dots with hard walls},
author = {A. Fuhrer and S. Luescher and T. Heinzel and K. Ensslin and W. Wegscheider and M. Bichler},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0009344},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 5 figures